| 成果名称： |
先进的深亚微米工艺技术及新型器件 |
| 获奖编号： | 2003电-1-001 |
| 获奖等级： | 北京市科学技术壹等奖 |
| 完成单位： | 中国科学院微电子中心 |
| 完成人员： | 吴德馨、刘训春、叶甜春、谢常青、陈大鹏、郑英奎、魏 珂、李 兵、汪锁发、刘 明、曹振亚、陈宝钦 |
| 截止日期： | |
| 鉴定日期： | 1997—2000 |
| 成果简介： |
该项成果是发展超高频器件及电路所需的关键技术。研究成功具有"纳米硅镶嵌结构"的新结构低应力SiN X射线光刻掩模和SiC掩模（窗口面积分别达到50 mm×50mm和30 mm×20mm）、一套0.07-0.25微米毫米波器件与电路掩模制备技术、实验型X射线光刻对准系统及相关精细对准技术、X射线深亚微米到纳米尺寸的光刻工艺、深亚微米X射线光刻工艺实用模拟软件、0.1-0.25微米T型栅光刻新工艺、0.15微米栅长GaAs PHEMT器件和0.25微米栅长的GaAs实验电路；研制成功具有自主知识产权的ICP-98型高密度等离子刻蚀机，其中感应耦合射频电源功率1.5千瓦可调，偏压电源功率500瓦可调，均匀性误差≤±3% (Ф150mm)，解决了分子泵抗Cl、Br基气体腐蚀以及尾气处理等难题，开发成功0.1微米级刻蚀技术、GaAs高速刻蚀技术(刻蚀速率达8μm/min)和低损伤选择刻蚀技术（对AlGaAs的刻蚀选择比达800:1）；建立了一套较完整的0.1-0.18微米HFET 设计和制作工艺，研制出性能良好的0.1微米HFET器件，跨导达到450ms/mm；fT达到86.77GHz。并应用于光纤通讯用光电模块等实用产品的研制与开发。采用先进的电子束直写与接触式光刻混合曝光技术，以及多层胶技术，研究成功深亚微米T型栅形成工艺及欧姆接触工艺。对HFET的瞬态性能测试方法进行了深入研究，建立起较为完整、可靠的HFET稳态及瞬态性能测试系统。
该研究成果总体技术水平达到国际先进,其中新结构低应力SiN掩模技术、薄膜衬基加工技术、精细对准技术、X射线T型栅光刻工艺、X射线光刻实用模拟软件、ICP高密度等离子体源、GaAs高速刻蚀技术、0.1微米HFET混合光刻制备技术、电子束三层胶T型栅光刻技术等属创新成果。
|
|