项目编号	I02-2007-011
项目名称	纳米尺度硅基集成电路新器件与新工艺研究
完成单位	北京大学
完成人员	黄 如 张 兴 刘晓彦 王阳元 张盛东 许铭真 康晋锋 于 民 何燕冬 杜 刚 廖怀林 孙 雷 许晓燕 王金延
项目简介	本成果依托973和国家自然科学基金重点项目，面向纳米尺度硅基集成电路技术中的诸多挑战，从新型器件结构与制备工艺、可靠性、器件与工艺模拟软件等方面开展了系统深入的研究，发明了多种面向不同应用和不同集成电路技术代的新器件及新工艺，基于这些创新成果，建立了纳米尺度集成电路器件与工艺研发平台，获得一批发明专利。     其中有代表性成果包括：      (1) 提出并研制了多种适于集成的亚50纳米新结构器件和新工艺技术，包括可以很好结合SOI和体硅技术优点的准SOI 全新器件结构；提出并研制了沟道长度为32nm的新型非对称梯度低掺杂漏垂直双栅器件；提出并实验演示了新型自对准三维集成技术，可同时减小单元电路的面积和改进电路性能。利用相关技术，为中科信公司承担的863国家重大专项项目提供了工艺检测和器件验证，在其中发挥了重要作用。部分成果还应用于三星半导体公司和英特尔公司的相关器件研究中。     (2) 针对新型纳米尺度半导体器件，提出并建立了一系列描述纳米尺度新型MOS器件中量子效应的物理模型及模拟方法，开发了多层次、高性能、自主知识产权的半导体器件模拟软件，具有强的鲁棒性、灵活性和可扩展性。相关成果应用于三星公司；自主开发了原子级MD超低能离子注入和KLMC退火模拟软件，在中芯国际公司和富士通公司得到应用。     (3) 建立了微尺度半导体器件失效分析和寿命预测模型，自主研制出一套基于比例差值谱技术的适用于微小尺度半导体器件可靠性测试分析系统，在中芯国际公司得到应用。         共申请53项发明专利，其中26项发明专利已经授权；在该领域发表学术论文315篇，包括IEEE TED/EDL等本领域最高水平期刊上的论文21篇，被SCI收录122篇，EI收录211篇，使我国微电子器件领域的研发实力和国际影响力得到提升。所有授权专利，除一项已与富士通公司共享外，其余25项授权专利均与中芯国际公司共享，对构建具有我国自主知识产权的IC技术专利库起到很好的推动作用，为我国IC技术自主发展提供了重要的技术基础。
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